Mémoire flash (« Flash memory »)

Terme français :

• Mémoire flash (« Flash memory »)

Publication au JO (Journal Officiel de la République Française) :

• 01 avr 2015

Terme utilisé en :

• Electronique

Définition officielle :

• Mémoire non volatile à semiconducteurs dont le contenu est modifiable par blocs de cellules de mémoire, ce qui augmente la vitesse d’écriture.

Note 1 :

• La mémoire flash ne supporte généralement qu’un nombre limité d’écritures/réécritures/effacements (généralement 100.000 par cellule [en 2019] puis la cellule détruite est remplacée par une autre, d'où la nécessité de n'utiliser qu'environ 70% de la taille d'une mémoire Flash afin de permettre ces remplacements.). Il est donc judicieux de n'utiliser les mémoires Flash (les disques SSD) que pour des données et fichiers stables et surtout pas pour les fichiers d'échange et mémoire virtuelle (fichier de pagination) de Windows qui sont réécrits des milliers de fois par jour.

Note 2 :

• La mémoire flash peut servir de mémoire morte ou de mémoire vive.

Voir également (terme(s) connexe(s)) :

• Cellule de mémoire

• Disque dur hybride

• Disque statique à semiconducteurs

• Mémoire morte

• Mémoire non volatile

• Mémoire vive

• Répartition de l'usure

Terme(s) étranger(s)

• Flash memory (en)

Note d'Assiste :

* Ce terme est entré au JO en avril 2015 seulement ! Rappel - La mémoire flash a été mise au point en 1980 par le Pr Fujio Masuoka et l’un de ses collègues (Shoji Ariizumi), employés de Toshiba. En 1984, cette nouvelle technologie est dévoilée à l’International Electron Devices Meeting (IEDM) de San Francisco. En 1987, Toshiba innove et lance la mémoire flash NAND à l’IEDM de la même année. (Source : TPE réalisé par Ky Van DOAN, Melvin VARTERESSIAN et Yohann ROSSE)

Un bon point au Journal Officiel pour rappeler que les mémoires flash ont un nombre limité de cycles d'écritures/réécritures/effacements, une information souvent passée sous silence, voire combattue par les fabricants et les commerçants. Les cycles d'écritures/réécritures/effacements se font en appliquant des surtensions par rapport aux cycles de lectures. Ces surtensions usent les cellules :

• Mémoires flash - SSD professionnels, NAND « SLC » - Single Level Cell
  Le nombre de cycles d'écritures/réécritures/effacements, par cellule, est limité à environ 100.000 cycles.
  
  
• Mémoires flash - SSD grand public, NAND « MLC » - Multi Level Cell
  Le nombre de cycles d'écritures/réécritures/effacements, par cellule, est limité à environ 3.000 à 10.000 cycles.
  
  
• Mémoires flash - SSD premier prix, NAND « TLC » - Triple Level Cell
  Le nombre de cycles d'écritures/réécritures/effacements, par cellule, est limité à environ 3.000 à 10.000 cycles.

Ajoutons qu'il ne faut pas utiliser les mémoires flash à plus de 60% de leur capacité afin de permettre aux mécanismes de répartition des erreurs de trouver des cellules de remplacement des cellules mortes.

Enfin, le chaînage des cellules mortes par leurs remplaçantes finit par être tellement long que le ralentissement des SSD se sent.

Ne jamais « défragmenter » un SSD au risque de le tuer rapidement.

Ne jamais mettre sur un SSD un fichier qui, par destination, est extrêmement sollicité, comme le fichier d'extension virtuelle de la mémoire de l'ordinateur (le fichier pagefile.sys), sauf à être à l'aise avec son porte-monnaie. Ajouter de la mémoire RAM est le plus puissant moyen d'accélérer la vitesse d'un ordinateur fonctionnant sous Microsoft Windows.